据美国商务部官网、SK海力士发布的声明，当地时间8月6日，美国商务部和SK海力士已经签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT)。SK海力士将在美国印第安纳州建立一个高带宽内存(HBM)先进封装制造和研发(R&D)设施。
基于《芯片和科学法案》，SK海力士可获得高达4.5亿美元的直接补助和至多5亿美元的贷款。此外，SK海力士还计划申请相当于合格资本支出 25% 的投资税收抵免。
据了解，SK海力士于今年4月4日宣布，将在印第安纳州西拉斐特投资38.7亿美元，建造面向AI的存储器先进封装生产基地，同时与普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。西拉斐特生产基地将拥有一条下一代HBM内存封装生产线，预计于2028年下半年开始量产。
SK海力士首席执行官郭鲁正表示，期待着建立一个新的AI技术中心，为印第安纳州创造熟练的工作岗位，并帮助全球半导体行业建立一个更强大、更有弹性的供应链。
